（1）HYUNDAI（現(xiàn)代）

現(xiàn)代的內(nèi)存顆?，F(xiàn)在都改名為Hynix了，不過(guò)舊顆粒上還是印有HYUNDAI的標(biāo)志。其SDRAM芯片編號(hào)格 式 為：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s， 具體的編號(hào)含義可以在現(xiàn)代的網(wǎng)站上找到：
其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品：
5<1>表示芯片類(lèi)型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
<2> 代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、 4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、 16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
<67> 代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；
<8> 代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；
<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
<10> 代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
<11.12>代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或 3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

另外，以前LGS(LG Semicon)也是韓國(guó)的一大內(nèi)存芯片廠(chǎng)商，但后來(lái)被HY兼并。LGS SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)格式 為：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>
其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；V代表3.3V；<12>代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；& lt;34>表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；<5>代表Bank（2=2個(gè)Bank，4=4個(gè)Bank）；1代表I/O接 口：LVTTL；<6>表示內(nèi)核版本；<7>代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；<8>代表封裝（T=常見(jiàn)的 TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；<9.10>代表速度 （7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或 3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
以上的內(nèi)存編號(hào)只是屬于舊編號(hào)，下面是現(xiàn)代最新編號(hào)的規(guī)則，不過(guò)大體上還是相同，這里就不再重復(fù)了。

     （2）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星內(nèi)存也是市場(chǎng)上常見(jiàn)的內(nèi)存芯片之一 。三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)規(guī)則可以看看下面詳細(xì)的列表：
除了DRAM，我們還可以了解一下RDRAM的芯片編號(hào)：
三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)，以KM418RD8C為例：
KM表示三星內(nèi)存；
4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；
18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；
RD表示產(chǎn)品類(lèi)型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；
8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；