雙通道內(nèi)存技術(shù)其實是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應用于服務器和工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺式機日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺式機主板技術(shù)的前臺。英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持，所以主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，主流雙通道內(nèi)存平臺英特爾方面是英特爾 865、875系列，而AMD方面則是NVIDIA Nforce2系列。

雙通道體系

　　雙通道體系包含了兩個獨立、具備互補性的智能內(nèi)存控制器，兩個內(nèi)存控制器都能夠并行運作。例如，當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A就讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補的“天性”可以讓有效等待時間縮減50%，因此雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。它的技術(shù)核心在于：芯片組(北橋)可以在兩個不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，RAM可以達到128bit的帶寬。

普通的單通道

　　普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器，理論上來說，兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運作。比如說兩個內(nèi)存控制器，一個為A、另一個為B。當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個控制器的時序參數(shù)都是可以單獨編程設定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標準來實現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運作。

作用

　　在這兩個內(nèi)存通過CPU可分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應增加一倍(理論上)。流行的雙通道內(nèi)存構(gòu)架是由兩個64bit DDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的，其帶寬可達128bit。因為雙通道體系的兩個內(nèi)存控制器是獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器，因此二者能實現(xiàn)彼此間零等待時間，同時運作。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可讓有效等待時間縮減50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻倍。雙通道是一種主板芯片組(Athlon 64集成于CPU中)所采用新技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)，任何DDR內(nèi)存都可工作在支持雙通道技術(shù)的主板上，所以不存在所謂“內(nèi)存支持雙通道”的說法。