內(nèi)存，是電腦硬件系統(tǒng)中不可或缺的重要配件；對(duì)于我們新手而言，現(xiàn)在所見到的內(nèi)存幾乎都是DDR系列內(nèi)存；但是，它從誕生之日起就叫DDR嗎？其實(shí)，內(nèi)存已歷經(jīng)數(shù)代變遷，名稱也相應(yīng)而變。但從它的變化，我們可以讀懂PC的發(fā)展。

內(nèi)存的變革

  內(nèi)存一開始并不叫“DDR”，F(xiàn)PM、EDO、SDRAM等名字都曾被使用過。當(dāng)然，這也是根據(jù)內(nèi)存當(dāng)時(shí)的各種特性而定的。

1.早期產(chǎn)品掃描

  最早的內(nèi)存都是焊接在主板或擴(kuò)展板上使用，沒有獨(dú)立的形態(tài)。隨著286主板的推出，擴(kuò)展更方便的獨(dú)立內(nèi)存條開始批量出現(xiàn)。FPM內(nèi)存便是那個(gè)時(shí)代的代表作。FPM是Fast Page Mode(快速頁模式)的簡(jiǎn)稱，其金手指腳數(shù)有30線(30pin，下同)和72線兩類。

  EDO(Extended Data Output，擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存)則是在1993年至1996年間流行的內(nèi)存條種類。它有72線和168線之分，5V電壓，基本速率40ns以上。其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486主板及早期的Pentium主板上。憑借著制作工藝的不斷進(jìn)步，單條EDO內(nèi)存的容量已可達(dá)4MB、8MB或更高，成對(duì)使用的這類內(nèi)存已可輕松實(shí)現(xiàn)16MB乃至32MB的“大”容量。

  而SDRAM內(nèi)存則是Pentium、PentiumⅡ、PentiumⅢ時(shí)代的座上賓。SDRAM內(nèi)存(常簡(jiǎn)稱為SD內(nèi)存)，168線接口，英文全稱為Synchronous Dynamic random access memory，“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。“同步”是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。其為第一代同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，其常見的頻率規(guī)范有PC66、PC100和PC133，以及后期出現(xiàn)的PC150和PC166規(guī)范等。

  此外，在早期的Pentium 4平臺(tái)上，還出現(xiàn)過一種叫RDRAM(RAMBUS DRAM)的內(nèi)存產(chǎn)品。RDRAM內(nèi)存是當(dāng)時(shí)一種高性能的存儲(chǔ)器，可提供600MHz、800MHz和1066MHz三種速度，232線，主要有64MB、128MB、256MB、512MB等容量規(guī)格。號(hào)稱能提供三倍于PC100 SDRAM的性能。但由于成本過高、專利技術(shù)的限制，讓其生不逢時(shí)，很快被DDR內(nèi)存淘汰出局，縱使有Intel的強(qiáng)力支持也無濟(jì)于事。

  RDRAM要維持內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸通道的連續(xù)性，需在空著的內(nèi)存槽口插上RAMBUS連接卡(圖片上方的兩條)，當(dāng)有內(nèi)存擴(kuò)容需求時(shí)，只需將相應(yīng)的連接卡換成RDRAM內(nèi)存即可。

2.DDR系列稱王

  DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，為第二代SDRAM標(biāo)準(zhǔn)。其常見標(biāo)準(zhǔn)有DDR 266、DDR 333和DDR 400，是Pentium 4、K7及早期K8平臺(tái)的標(biāo)配。作為SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，DDR內(nèi)存采用2.5v工作電壓，184線接口，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能實(shí)現(xiàn)雙倍的SDRAM速度——例如DDR266內(nèi)存與PC133 SDRAM內(nèi)存相比，工作頻率同樣是133MHz，但在內(nèi)存帶寬上前者比后者高一倍。這種做法相當(dāng)于把單車道更換為雙車道，內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸性能自然可以翻倍。

  DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))開發(fā)的第三代SDRAM內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，1.8v工作電壓，240線接口，提供了相較于DDR SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，同樣采用在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力)，其常見的頻率規(guī)范有DDR2 400/533/667/800/1066/1333等，總線頻率553MHz的DDR2內(nèi)存只需133MHz的工作頻率。最具代表性的此類平臺(tái)包含Intel 915/945系列(LGA775)芯片組的平臺(tái)和支持AMD 940(AM2)的平臺(tái)。

  雖然DDR3和DDR2都是240線，但其電壓和針腳定義、缺口都不同，所以不能混插。

  DDR3 SDRAM相比起DDR2具備更低的工作電壓(1.5v)，240線接口，支持8bit預(yù)讀，只需133MHz的工作頻率便可實(shí)現(xiàn)1066MHz的總線頻率。其頻率從800MHz起跳，常見頻率有DDR3 800/1066/1333/1600/1866/2133等。DDR3是當(dāng)前流行的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，Intel酷睿i系列(如LGA1156處理器平臺(tái))、AMD AM3主板及處理器的平臺(tái)都是其“支持者”。

  DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

筆記本電腦內(nèi)存和服務(wù)器內(nèi)存

  雖然本文主要基于臺(tái)式機(jī)內(nèi)存作介紹，但在內(nèi)存陣營里還有筆記本電腦內(nèi)存和服務(wù)器內(nèi)存之別。各種筆記本電腦內(nèi)存在技術(shù)上和同時(shí)代同規(guī)范的臺(tái)式機(jī)內(nèi)存一樣，主要差別在于其更緊湊針腳更緊密，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。服務(wù)器內(nèi)存則主要在于加入了如ECC(檢測(cè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤并進(jìn)行糾錯(cuò))、ChipKill(比ECC更先進(jìn)的技術(shù)，可同時(shí)檢查并修復(fù)4個(gè)錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位)、熱插拔技術(shù)等，具有更高的穩(wěn)定性。