占領(lǐng)市場(chǎng)多年的DDR3內(nèi)存，以及去年開(kāi)始普及且性能更強(qiáng)的DDR4內(nèi)存，這就如同曾經(jīng)DDR2向DDR3過(guò)渡，新一代處理器平臺(tái)為了適應(yīng)這新老交替的過(guò)渡的階段，同時(shí)集成了雙控制器，可分別兼容DDR3和DDR4內(nèi)存。好了，進(jìn)入正題，內(nèi)存ddr4和ddr3的區(qū)別是什么？下面武林網(wǎng)來(lái)科普一下。

DDR3與DDR4外觀上的區(qū)別：

DDR3與DDR4外觀上的區(qū)別

  仔細(xì)觀察，我們發(fā)現(xiàn)DDR4內(nèi)存金手指變的彎曲了，并沒(méi)有沿用以往的直線設(shè)計(jì)。這樣做是為了改善以往平直的內(nèi)存條在插拔時(shí)，摩擦力較大，有的時(shí)候會(huì)遇到難以插拔的情況。DDR4內(nèi)存將下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣變短的形狀，中央到邊緣平滑曲線過(guò)渡。此外，中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，當(dāng)然我們沒(méi)必要去數(shù)這個(gè)，記住DDR4內(nèi)存金手指是彎曲的就可以了。

  下面再說(shuō)說(shuō)它們的參數(shù)差異：

  DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到DDR3內(nèi)存的8倍之多。好比目前常見(jiàn)的單條8GB容量的DDR3（單顆芯片512MB，共16顆），DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4使用低于20nm的工藝來(lái)制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低，因此功耗更低。

  頻率和位寬決定了內(nèi)存帶寬，帶寬越高內(nèi)存性能就越強(qiáng)。DDR3內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾首罡叩?800MHz（超頻的除外）；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，最高可達(dá)4266MHz。很明顯DDR4內(nèi)存能夠達(dá)到的帶寬更高。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70％。

  此外還有一個(gè)重要參數(shù)就是內(nèi)存的時(shí)序。一般在內(nèi)存條的SPD中，數(shù)字“11-11-11-28”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（簡(jiǎn)稱CL值）是內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間; RAS Precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間; Row Active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。

  常見(jiàn)的DDR3 1600的內(nèi)存基本新裝的電腦都會(huì)使用的內(nèi)存，時(shí)序分別是9-9-9-24，11-11-11-28也是很長(zhǎng)見(jiàn)的。隨著內(nèi)存的頻率越高時(shí)序也會(huì)有不同程度的提升，在DDR時(shí)代1G的默認(rèn)時(shí)序一般是3-3-3-8，到現(xiàn)在最新的DDR4時(shí)序已經(jīng)升到了16-16-16-35。在同樣頻率設(shè)定下，14-14-14-34這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來(lái)比16-16-16-35更高的內(nèi)存性能，幅度在3-5%。

  以上就是武林網(wǎng)分享的內(nèi)存ddr4和ddr3的區(qū)別，希望能夠幫助到你。

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