在行業漲價的大背景下，我們在選擇固態硬盤產品的時候更是需要提高警惕，多多了解關于固態硬盤產品的參數和關鍵術語，多加斟酌和比較不同品牌，避免被不良商家的文字游戲所欺騙，慘遭“烈士墻”。那么，固態硬盤領域常見的專業術語到底有哪些？不良商販又都喜歡在固態硬盤的描述上玩哪些文字游戲？

關于產品接口：SATA/M.2/PCIe

目前，市面上銷售的消費級固態硬盤產品中，大都是SATA接口或是M.2接口（包括PCIe）。

先說SATA接口，其本質就是從傳統機械硬盤時代繼承下來的，最為主流的硬盤接口形態。由于脫胎于傳統機械盤，SATA接口具有極強的兼容性，幾乎所有種類的主板都能完美支持，也是目前市面上銷售量和普及量最廣泛的硬盤接口。

在固態硬盤時代，SATA接口一直保持著最高出貨量和市占率，也是一般網友朋友裝機首選的固態類型。與傳統機械盤時代不同的是，裝載固態硬盤的SATA接口在性能標準上，一般采用最高級別SATA Ⅲ，理論最高速度為6Gbps。

根據目前實際的應用情況而言，減去傳輸損耗，大部分基于SATA接口的固態硬盤的最終讀取性能應該在500MB/S以上，換句話說就是“在SATA Ⅲ下,固態硬盤的讀取速度低于500MB/S的，都是垃圾。”

再說M.2接口，所謂M.2接口就是為固態硬盤應運而生的新接口。根據固態硬盤大小，M.2接口的卡槽會有2280/2256等諸多尺寸，目前主流的M.2接口固態大小幾乎都是2280尺寸。

M.2接口本質上，可以理解為PCIe插槽，根據固態硬盤執行的傳輸協議不同，其傳輸性能也有著巨大的差異。正是有著傳輸協議的不同，M.2接口內部又可以簡單劃分為走PCIe通道的M.2接口和不走PCIe通道的M.2接口。

也就是說，在M.2接口的世界中，根據傳輸協議的不同還有著不同接口之分，這點尤其需要我們注意，這也是諸多不良商家最喜歡進行文字游戲欺瞞消費者的地方，執行PCIe通道的M.2接口在性能和造價上遠超普通M.2接口，但是二者在外觀形態上幾乎沒有多少區別。

消費者在選購M.2接口產品時，一定要通過資料查詢和再三確認，是否高價買了非PCIe通道的M.2接口產品。

關于傳輸協議：AHCI/NVMe

上文我們說到，根據傳輸協議不同，M.2接口產品的性能和造價有著巨大的差異。其實，在固態硬盤行業發展至今，最為主流的傳輸協議，其實也就有兩種。一種是AHCI協議，另一種是NVMe協議。

所謂AHCI,全稱為串行ATA高級主控接口/高級主機控制器接口，是在Intel的指導下，由多家公司聯合研發的接口標準，它允許存儲驅動程序啟用高級串行ATA功能。

對于AHCI協議的意義和功能，我們作為普通消費者無需進行詳細了解，唯一需要注意的是，在挑選和使用SATA接口固態硬盤的時候，一定要在主板設置中開啟AHCI模式。

這是因為，開啟AHCI模式后，能夠大幅縮短硬盤無用的尋道次數和縮短數據查找時間，這樣能讓多任務下的磁盤能夠發揮全部的性能和效應。根據相關性能測試，在AHCI模式開啟后，大約可增加30%的固態硬盤讀寫性能。

目前，市面上主流的SATA接口產品全都僅支持AHCI模式，同時部分M.2接口產品也支持AHCI。另外一個傳輸協議便是，近年來出于風口浪尖、代表著未來性能走向的NVMe協議。

所謂NVMe協議，是一種基于非易失性存儲器的傳輸規范，NVMe規范由包含90多家公司在內的工作小組所定制，Intel是主要領頭人，小組成員包括美光、戴爾、三星、Marvell、NetAPP、EMC、IDT等公司。

此規范目的在于充分利用PCI-E通道的低延時以及并行性，還有當代處理器、平臺與應用的并行性，在可控制的存儲成本下，極大的提升固態硬盤的讀寫性能，降低由于AHCI接口帶來的高延時，徹底解放SATA時代固態硬盤的極致性能。

換言之，NVMe協議的誕生就是為了從傳輸協議出發，進一步提升固態硬盤的實際讀寫性能，提高產品傳輸效率。一般來說，基于NVMe協議的固態硬盤在讀寫性能上都遠遠超過了SATA接口極限的6Gbps，接近1000MB/S。

除此之外，目前支持NVMe協議的固態硬盤在接口類型上，也幾乎都是M.2接口，走PCIe通道的，也就是說所有基于SATA接口的固態硬盤都無法支持NVMe協議傳輸協議，無法享受全新協議帶來的極限性能。

在這一點上，我們可以根據產品的最大讀取速度是否超過600MB/S作為簡單依據，進行協議判斷。

關于核心元件：閃存/主控

最后我們再聊簡單聊聊固態硬盤的核心元件，閃存顆粒和主控芯片。

閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。

根據用途和規格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，今天我們主要討論的是用于固態硬盤等存儲設備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

NAND閃存顆粒，是閃存家族的一員，最早由日立公司于1989年研制并推向市場，由于NAND閃存顆粒有著功耗更低、價格更低和性能更佳等諸多優點，成為了存儲行業最為重要的存儲原料。

根據NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命長，讀寫次數在10萬次以上，造價高，多用于企業級高端產品。

MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用高端產品，讀寫次數在5000左右。

TLC（三層式存儲），是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命低，讀寫次數在1000~2000左右，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

隨著時代發展，NAND閃存顆粒的技術突飛猛進，并且逐漸形成了幾大超大規模的專業閃存顆粒制造商，這些能夠直接切割晶圓和分離出NAND閃存顆粒的廠商，一般稱之為閃存顆粒原廠。

它們分別是三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商，據統計它們六家的閃存產能幾乎占據了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創造和升級，都是由這么幾家原廠所主導。

我們在挑選固態硬盤的時候，可以從閃存顆粒出發，盡量選擇以上六大原廠生產的閃存顆粒的固態硬盤。至于主控芯片，顧名思義就如同PC中的CPU，相當于固態硬盤的大腦，承擔著指揮、運算以及協調的作用。

其具體作用表現在，一是合理調配數據在各個閃存芯片上的負荷，讓所有的閃存顆粒都能夠在一定負荷下正常工作，協調和維護不同區塊顆粒的協作，二則是承擔了整個數據中轉，連接閃存芯片和外部SATA接口，三則是負責固態硬盤內部各項指令的完成，諸如trim、CG回收、磨損均衡。

鑒于目前各大主控芯片廠商在絕對性能上的差異并不明顯，主要的幾大主控芯片廠商，慧榮、群聯、Marvell、以及三星、東芝自家研發等都是比較優質的選擇，唯一需要注意的是主控芯片的老舊和穩定性問題。

我們在選擇固態硬盤主控時，可以根據通過網絡查詢到底有多少廠商采用此款主控方案，進行簡答判斷，畢竟作為高度壟斷的行業，固態硬盤廠商可供選擇的方案也就寥寥數家，多數廠商都在使用的主控方案，雖不能說一定是最佳方案，但一定是最為穩妥的方案。

從接口到協議，再到核心控件，希望這些固態硬盤產品的常識可以在一定程度上幫助大家，在選購固態硬盤的時候，提供參考，避免因不了解而上當受騙，畢竟固態硬盤產品正處高位，被騙還是會肉疼。