2016年年底，由于全球存儲顆粒供需緊張，導致存儲價格大幅上漲，不僅僅只有固態硬盤市場就連此前一直低迷的內存市場也跟著價格上漲。2017年初始，在所有的DIY硬件中，內存就率開啟了瘋狂的漲價模式，同時，SSD固態硬盤的價格也跟風上揚，讓存儲市場成為近期DIY領域關注的焦點。和VEVB武林網小編一起來了解一下吧。

　　什么原因導致存儲價格大幅度上漲

　　追尋原因，在存儲設備漲價的背后元兇則是閃存顆粒。那么，很多用戶不禁要問了，隨著閃存技術的升級，制作工藝的不斷換代，價格應當是不斷下降的？漲價，總是離不開市場的供需需求，這也是這次存儲價格上漲的最主要的原因。

　　閃存顆粒到底是什么

　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。根據用途和規格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，存儲設備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

　　根據NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC(單層次存儲單元)、MLC(雙層存儲單元)以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

　　SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴(約MLC3倍以上的價格)，約10萬次擦寫壽命。

　　MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。

　　TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對慢壽命相對短，價格便宜，約500次擦寫壽命，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

　　在閃存的市場上，分別以三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商為主，據統計它們六家的閃存產能幾乎占據了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創造和升級，都是由這么幾家原廠所主導。

　　更新換代 閃存顆粒嚴重缺貨：

　　但是隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態硬盤上單體的存儲單元內部的能夠裝載的閃存顆粒已經接近極限了，更加專業的術語表述就是單die能夠裝載的顆粒數已經到達極限了，要想進一步擴大單die的可用容量，就必須在技術上進行創新，于是3D NAND技術也就應運而生了。

　　在面對2D NAND向3D NAND的更新換代中，除了三星、美光較成熟之外，其他家的3D NAND良品率并不太高，量產嚴重不足，致整體的NAND顆?？偝鰪S量不足，供應無法滿足市場需求，各大SSD廠商在爭奪本就不夠的閃存顆粒，必然會在競爭中抬高NAND出廠價，因而才引發了當下固態硬盤市場價格的瘋漲，成了固態硬盤等存儲產品價格上漲的第一大原因。

　　上游閃存顆粒價格瘋漲：

　　據消息稱，進入2017年僅過了一個月的時間，4Gb DDR4內存顆粒的協議價已經從2.837美元上升到3.347美元，漲幅達到了18%!而這僅僅是上游廠商的顆粒原料價，可想而知到一條內存成品誕生，其零售價的漲幅會非常的大。

　　那么存儲市場價格上漲幅度如此厲害，什么時候才能回歸到正常？

　　對于固態硬盤市場，2017年各大閃存廠商都在穩定和成熟的發展其3D NAND技術。2017年將是3D NAND普及的元年，到時候將大規模供應市場固態硬盤價格也將回歸正常。

　　內存方面，遠遠沒有固態硬盤市場樂觀， 目前DRAM顆粒的行情呈現繼續上漲的趨勢，遠沒有NAND閃存樂觀，三星、美光等巨頭都表示，沒有增產DRAM計劃，這將更一步加劇DRAM供不應求的局面。這樣局面將導致內存價格繼續上漲。

　　總而言之，存儲設備漲價的背后元兇則是閃存顆粒，可以預計近期內存和固態硬盤價格難以出現大幅跳水，尤其是內存價格。對于固態硬盤，17年正處于普及其，價格可能會出現回落，所以，對于打算升級和新組裝機器的用戶們，不妨再觀望一陣，再觀望觀望。

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