今年夏天，三星宣布該公司正在開發一種采用TLC版本的3D V-NAND技術的850 EVO SSD。有關該系列的更多細節，已在秋季的時候被曝光，而閃存模塊的量產則從10月份開始。盡管在速度和耐久度上仍比不上2-bit的閃存顆粒(MLC)，但是借助TurboWrite緩存技術及其3D架構，3-bit顆粒(TLC)仍能克服自身的一些缺點。因此對于大部分消費者來說，搭載新顆粒的SSD仍然足夠快速和耐用。

采用3-bit 3D V-NAND閃存顆粒的850 EVO將提供120GB、250GB、500GB、以及1TB的容量，順序讀取和寫入分別可以達到540MB/s和520MB/s。在啟用TurboWrite時，隨機4K IOPS亦能夠達到90K。

上述四款SSD都將提供5年的質保，其中500GB和1TB版本更是能夠承受每天80GB的數據寫入量。對于大多數消費者來說，5年 x 365天/年 x 80GB/天 ≈ 171TB 的寫入壽命已綽綽有余。

價格方面，三星給出的建議零售價分別為120GB $100美元、250GB $150美元、500GB $270美元、1TB $500美元，不過該公司暫未公布正式開售的時間。

展望未來，三星電子亦將推出mSATA和M.2規格的850 EVO SSD。