中科院攻克芯片技術(shù)，2nm芯片突破瓶頸，榮獲全球第一！

2020-01-31 14:35:00

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供稿：網(wǎng)友

隨著時間的推移和人類社會的進步，我國近年來在高科研發(fā)方面不斷破冰，獲得了不少的成就。在原本就薄弱的領(lǐng)域也是一步一步的建立起了我們自己的技術(shù)堡壘，在全球市場中逐步的站穩(wěn)了腳跟，而芯片也就其中的一個典型的例子。相信提及國產(chǎn)芯片，絕大部分人第一時間想到的就是民營企業(yè)華為所產(chǎn)的海思，但實際上除了民營企業(yè)之外，國家科研院所也早就走上了自研的道路，盡管任重道遠，但是終究是沒讓人們失望。近日中科院傳出好消息，新型垂直納米環(huán)柵晶體管成為2nm制程工藝的候選技術(shù)。

相信了解這方面的人們都知道，現(xiàn)目前市場是最先進的制程工藝就是7nm以及第二代的7nm，而我國的芯片巨頭代工廠商臺積電有望在2020時實現(xiàn)5nm芯片的量產(chǎn)。除此之外先前臺積電還宣布了正在進行3nm工藝的研發(fā)，而消費市場所期待的更進一步的2nm預(yù)計在2024年才會實現(xiàn)投產(chǎn)。其實芯片工藝的升級就是芯片上晶體的密度不斷加強以及技術(shù)的更迭。

據(jù)了解目前市面上的絕大部分的芯片都還是沿用的英特爾的22nm FinFET工藝，預(yù)計在未來的4-5nm都還是會繼續(xù)使用該類晶體管。在2018年的時候三星已經(jīng)搶先一步的發(fā)布了3nm工藝制程說需采用的GAA環(huán)繞柵極晶體管，而該類技術(shù)相較之前的FinFET工藝，可多方面增強芯片的性能以及降低核心面積和功耗。

緊隨三星之后，中科院就搶先一步的研發(fā)出了2nm工藝所需的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管，據(jù)悉該項技術(shù)早在2016年的時候，中科院就已經(jīng)開始了該項技術(shù)的研發(fā)，經(jīng)歷了重重阻攔最終還是斬獲了全球第一。

值得一提的就是該項技術(shù)已經(jīng)成功獲得了多項中、美的發(fā)明專利授權(quán)。更是在國際上該領(lǐng)域追劇影響力的期刊《IEEE Electron Device Letters》上發(fā)表了相關(guān)文章?？傮w來講現(xiàn)在即使是還有部分技術(shù)被西方國家惡意壟斷，甚至是惡意的阻止其正常發(fā)展，但是中國芯都依舊不會被輕易的打敗。而疊層垂直納米環(huán)柵晶體管就是中國芯最好的、最直接的、最有力的證明。

各位對于中國芯有著怎樣的見解呢？對中科院的院士們是否都含著一顆崇敬的心呢？歡迎大家留言分享。

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