無線基礎設施行業的首個LDMOS晶體管，滿足在3.8GHz頻段運行的WiMAX的嚴格要求

    近期，憑借第七代高壓(HV7)射頻LDMOS技術，飛思卡爾半導體(NYSE:FSL，FSL.B)成功取得了在3.5GHz 頻段運行的符合WiMAX 基站所需的射頻功率放大器性能。

    這也是業內射頻橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術首次在這一領域獲得重大突破。

    飛思卡爾已經提供了一系列12VGaAs假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)產品，并計劃繼續開發高壓GaaspHEMT技術，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系統中使用，另外也適用于2 GHz和6 GHz頻段之間的其它應用。

    通過提供采用射頻LDMOS和GaAsPHEMT技術的功率晶體管，飛思卡爾的射頻解決方案能夠真正支持任何高功率無線基礎設施應用，其中LDMOS的性能高達3.8GHz，而GaAs PHEMT的性能則高達6 GHz。

    “在HV7射頻LDMOS技術領域取得的最新進展，使飛思卡爾在未來的WiMAX和其它高頻率市場服務方面處于非常有利的位置，”飛思卡爾副總裁兼射頻部門總經理GavinP.Woods說，“我們的高壓GaAs技術開發將繼續為目前市場上所有具競爭力的產品提供高效解決方案，并將基礎設施產品延伸到6 GHz產品領域。”

    WiMAX：要求最為嚴格

    WiMAX系統采用64積分調幅(QAM)正交頻分復用(OFDM)信號。QAMOFDM信號處理向功率放大器的設計人員提出了獨特挑戰。回退中的射頻功率晶體管線性是至關重要的，不僅體現在具有屏蔽要求的頻譜形式中，也體現在具有EVM(誤差向量幅度)要求的積分形式中。在本消息發布之前，硅LDMOS 技術在3.5 GHz頻段上不能提供令人滿足的射頻功率性能表現。這就意味著合成半導體設備(如GaAs PHEMT)是設計者的唯一選擇?，F在，飛思卡爾的高級3.5 GHz HV7 LDMOS設備提供了WiMAX系統所需的高效、線性和EVM性能，為設計者提供了在合成半導體和硅LDMOS之間進行選擇的機會。

    HV7射頻LDMOS的供貨信息

    首批3.5GHzLDMOS設備的樣品現已問世。MRF7S38075H是一個75瓦特的P1dB射頻晶體管，平均功率為42dBm (16W)，滿足在3.5 GHz頻段運行的WiMAX設備的性能要求。此外，40W和10W的 P1dB 3.5 GHz設備也有望于2006年2月面市。這三款先進的LDMOS設備擴大了飛思卡爾現有的射頻功率晶體管系列的產品陣容，面向在2.3、2.5和3.5 GHz頻段運行的新興WiMAX/WiBRO設備。

    高壓GaAs的供貨信息

    高級HV7LDMOS設備完善了12VGaAsPHEMT設備的功能，使其能夠適應3.5 GHz的 WiMAX應用，目前正在開發的新型高壓GaAs設備將可在高達6 GHz的頻段運行。這就使它們成為在該頻率范圍內運行的WiMAX和其它無線應用的理想之選。當運行電壓達到20 V以上，GaAs設備能夠達到高達100 W的輸出功率，同時還能滿足數字調制系統的嚴格要求。

    飛思卡爾的第一款高壓GaAsPHEMT的樣品有望于2006年第三季度面市。