Flash存儲(chǔ)技術(shù)

在過去的二十年里，ROM和EPROM一直是嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備的首選。但是，今天越來越多的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者采用Flash這種可讀寫的存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā)。

Flash主要分為NOR和NAND兩類。NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存中運(yùn)行，而不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。但應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

但是歷經(jīng)十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲(chǔ)少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些?！癋lash存儲(chǔ)器”便經(jīng)常與“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。但NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。

下面對二者作較為詳細(xì)的比較：