大家都知道，U盤主要由主控芯片和flash芯片組成，所以影響U盤速度的因素也就分為主控芯片和flash芯片兩方面。本文就為大家分析影響U盤讀寫速度不同的幾大因素，希望對大家有所幫助！

 　　速度達到80MB/s的USB3.0優盤

　　速度達到160MB/s的優盤

　　速度達到220MB/s以上的優盤

　　光從這些測試結果來看，差距確實是相當明顯的。當然，不同優盤廠商的實力會對產品品質產生一定影響，但這并不是關鍵因素。這些產品之間產生的速度差關鍵還在于主控與芯片。不同的芯片穩定性、速度不一樣，而不同的主控也決定著優盤的兼容性、速度以及是否實現量產等等問題。今天我們就一起來聊聊這兩個大問題。

　　原因一：Flash芯片速度差別大

　　首先，就芯片問題來說，目前市場上存在著SLC、MLC以及TLC三種。SLC芯片優盤在速度上有明顯的優勢，充分顯示了SLC芯片的強大性能。SLC芯片在載入速度以及數據傳輸速度上有著強大的優勢，在能耗上SLC也要低于MLC。此外，由于SLC芯片可以保證十萬次左右的穩定存取，因此它有著更長久的使用壽命。

　　MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產設備，擁有成本與良率的優勢。與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大。

　　SLC與MLC參數對比

　　TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，TLC架構正式問世后，1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。在TLC成功推廣的道路上，閃存大廠東芝與三星可是立下汗馬功勞，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

　　SLC、MLC、TLC對比

　　從上面的介紹中，我們看到SLC、MLC與TLC技術的優劣之處在哪，也可以得出這樣一個結論：MLC是今后NAND Flash的發展趨勢，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術通過每Cell存儲更多的bit來實現容量上的成倍跨越，直至更先進的架構問世。SLC的成本傷不起，TLC則更有可能引起數據的安全隱患，所以選擇MLC的優盤更靠譜。