目前手機市場的處理器大體可以分為四家，分別為高通驍龍、聯發科、三星以及麒麟。

　　在處理器方面，雖不能說高通一家獨大，但是目前來看確實有它的優勢存在，尤其是前不久剛剛發布的新一代高通驍龍835，回首半年前，高通發布了旗艦處理器821，作為820處理器的補充版本，性能也相比820提升了10%，但是隨著新處理器的曝光，風頭還是蓋過了驍龍821。那么作為明年的主流處理器究竟比高通821提升了哪些，今天就來為大家梳理一下。

　　首先我們先來回顧一下高通驍龍821的配置，這款處理器內置四顆了Koyo四核架構，兩顆高頻核心主頻最高為2.4GHz，而低頻核心主頻最高為2.0GHz，GPU頻率為650MHz。其他方面驍龍821和820一致，均搭載了X12 LTE modem基帶，支持Cat.12/13，最高支持下行600Mbps的高速網絡，上傳最高為150Mbps。

　　驍龍820/821對比

　　更為直觀的提升體現在，更短的開機時間、更快的應用啟動速度以及更順暢的用戶交互方面。而全新的特性和功能包含了一個驍龍虛擬現實軟件開發包，這顯示是為VR準備的，還擁有雙PDAF對焦方案，以及能夠更加精準對焦的擴展激光自動對焦范圍。

　　接下來我們看看驍龍835相對于821提升的地方：

　　首先，它采用了更先進的制程工藝，是半導體最新的10nm制程工藝，而821還是14nm制程。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。

　　高通835發布

　　此外，它還擁有更強的CPU，據悉將采用八核心設計，彌補了驍龍820CPU多線程弱的缺點。而在GPU方面，上一代驍龍821搭載了Adreno 530GPU，就目前而言性能上僅次于蘋果A10的GPU，而新一代驍龍835想必也會搭載性能更為出色的GPU，以滿足VR時代對于手機圖形處理器的高要求。

　　預計還會采用Vulkan這個全新的圖形API，雖然在高通驍龍820/821已經體現了Vulkan這一革命性的API，但顯然還不夠完善，畢竟這對GPU的性能也有一定的要求，而驍龍835升級了CPU以及GPU后，在次看來能夠更為全面的發揮出應有的性能表現。

　　除了性能配置上的提升，它還將帶給我們更快的充電速度，高通同步發布新一代 QC4.0 快速充電技術。相比 QC 3.0 充電速度提升 20%，并支持 Type-C。能夠實現“充電 5 分鐘，通話五小時”。大約 15 分鐘內，可沖入 50% 的電量。另外，QC4.0 有更好的電源管理系統，能夠有效降低充電造成的電池損耗。

　　在基帶方面，高通驍龍也曾透露下一代產品的基帶將會采用下行速率高達1Gbps的X16基帶，相比于821的X12簡直提升了太多，但是目前還不確定會不會將此技術應用于手機廠商，讓手機用戶也能享受到1Gbps的下載速率，但是至少可以肯定的是，他們已經擁有了更先進的基帶技術。

　　寫在最后：在高通發布了自家10nm制程的處理器后，許多其他供應商也開始了研制，例如聯發科的十核Helio X30也是采用10納米制程工藝，以及近兩日曝出的麒麟970。由此可見，移動芯片技術已經全面進入10納米制程工藝時代，想必明年的手機產品也將帶給我們不少驚喜。