計算機領域的摩爾定律仿佛已經(jīng)走到了瓶頸，我們終于遇到了電路設計與空間需求的矛盾，不就之前閃迪沒有能夠?qū)F卡（Micro SD）容量倍增，在TF卡容量達到128GB之后，這一次升級僅僅達到了200GB。

 

同樣，SSD固態(tài)硬盤也已經(jīng)遇到了容量與空間之間權衡的瓶頸，3D堆疊技術就成為可能的提升方向，近日來自相關企業(yè)的消息表明，三星電子已經(jīng)實現(xiàn)了將3D堆疊技術達到32層的技術，此后不久Intel和美光也宣布達到了32層，而東芝與閃迪宣布3D堆疊已經(jīng)能夠達到48層！

 

依靠垂直堆疊的閃存單元結構優(yōu)勢，基于3D堆疊技術可以將每一個獨立單元的尺寸放大，對于提升性能、讀寫壽命都非常有利，讀寫帶寬、I/O速度、隨機讀寫速度都可以實現(xiàn)更高的規(guī)格。

 

按照Intel公布的數(shù)據(jù)，以32層堆疊的技術處理，MLC規(guī)格單顆Die容量可以達到256Gb(32GB)，TLC規(guī)格更是高達384Gb(48GB)，以這種容量制作的M.2規(guī)格SSD固態(tài)硬盤就能超過3.5TB，2.5寸硬盤規(guī)格則可以突破10TB！

 

看來SSD固態(tài)硬盤超越機械硬盤的容量飛躍快要到來了！