什么是內(nèi)存時(shí)序 內(nèi)存時(shí)序的詳細(xì)介紹
2020-10-26 22:20:17
供稿：網(wǎng)友
內(nèi)存時(shí)序
一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定，內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設(shè)定下，最低“2-2-2-5”這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個(gè)百分點(diǎn)。
在一些技術(shù)文章里介紹內(nèi)存設(shè)置時(shí)序參數(shù)時(shí)，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個(gè)參數(shù)及BIOS設(shè)置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：
一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置
首先，需要在BIOS中打開手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：
Command Per Clock(CPC)
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。
顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱內(nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。
其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過長，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。
在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時(shí)間”，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是內(nèi)存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個(gè)時(shí)鐘周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時(shí)"。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦tRRD值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時(shí)的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數(shù)，4超頻內(nèi)存時(shí)能達(dá)到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩(wěn)定運(yùn)行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可選的設(shè)置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復(fù)延時(shí)”。該值說明在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。
Write to Read Delay(tWTR)
可選的設(shè)置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時(shí)”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。
tWTR值為2在高時(shí)鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。
Refresh Period(tREF)
可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。
先請看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto選項(xiàng)，主板BIOS將會(huì)查詢內(nèi)存上的一個(gè)很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲(chǔ)了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過要追求最優(yōu)的性能，則需手動(dòng)設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。
另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲(chǔ)每一個(gè)bit，都需要定期的刷新來充電。不及時(shí)充電會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實(shí)際上就是電容器，最小的存儲(chǔ)單位是bit。陣列中的每個(gè)bit都能被隨機(jī)地訪問。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時(shí)間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時(shí)數(shù)據(jù)就被重寫一次。正是這個(gè)原因DRAM也被稱為非永久性存儲(chǔ)器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新一行耗費(fèi)15.6us的時(shí)間。因此一個(gè)2Kb的內(nèi)存每列的刷新時(shí)間為15.6?s x2048行=32ms。
如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一樣，不是一個(gè)精確的數(shù)值。通常15.6us和3.9us都能穩(wěn)定運(yùn)行，1.95us會(huì)降低內(nèi)存帶寬。很多玩家發(fā)現(xiàn)，如果內(nèi)存質(zhì)量優(yōu)良，當(dāng)tREF刷新周期設(shè)置為3120=200mhz(?.??s)時(shí)，會(huì)得到最佳的性能／穩(wěn)定性比。
Write CAS# Latency(tWCL)
可選的設(shè)置：Auto，1-8
Write CAS Latency (tWCL)，表示“寫指令到行地址控制器延時(shí)”。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問的，這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址，大多數(shù)情況下，數(shù)據(jù)通常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設(shè)為1T，這個(gè)參數(shù)和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相對的，tCL表示讀的延遲。
DRAM Bank Interleave
可選的設(shè)置：Enable， Disable
DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交錯(cuò)”。這個(gè)設(shè)置用來控制是否啟用內(nèi)存交錯(cuò)式(interleave)模式。Interleave模式允許內(nèi)存bank改變刷新和訪問周期。一個(gè)bank在刷新的同時(shí)另一個(gè)bank可能正在訪問。最近的實(shí)驗(yàn)表明，由于所有的內(nèi)存bank的刷新周期都是交叉排列的，這樣會(huì)產(chǎn)生一種流水線效應(yīng)。
雖然interleave模式只有在不同bank提出連續(xù)的的尋址請求時(shí)才會(huì)起作用，如果處于同一bank，數(shù)據(jù)處理時(shí)和不開啟interleave一樣。CPU必須等待第一個(gè)數(shù)據(jù)處理結(jié)束和內(nèi)存bank的刷新，這樣才能發(fā)送另一個(gè)地址。目前所有的內(nèi)存都支持interleave模式，在可能的情況下我們建議打開此項(xiàng)功能。
對于DFI主板來說，任何情況下該設(shè)置都應(yīng)該是Enable，可以增大內(nèi)存的帶寬。Disable對將減少內(nèi)存的帶寬，但使系統(tǒng)更加穩(wěn)定。
DQS Skew Control
可選的設(shè)置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew
DQS Skew Control，表示“DQS時(shí)間差控制”。穩(wěn)定的電壓可以使內(nèi)存達(dá)到更高的頻率，電壓浮動(dòng)會(huì)引起較大的時(shí)間差（skew），加強(qiáng)控制力可以減少skew，但相應(yīng)的DQS（數(shù)據(jù)控制信號）上升和下降的邊緣會(huì)出現(xiàn)電壓過高或過低。一個(gè)額外的問題是高頻信號會(huì)引起追蹤延遲。DDR內(nèi)存的解決方法是通過簡單數(shù)據(jù)選通脈沖來增加時(shí)鐘推進(jìn)。
DDRII引進(jìn)了更先進(jìn)的技術(shù)：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個(gè)簡單脈沖信號和一個(gè)參考點(diǎn)來測量信號，而并非信號之間相互比較。理論上提升和下降信號應(yīng)該是完全對成的，但事實(shí)并非如此。時(shí)鐘和數(shù)據(jù)的失諧就產(chǎn)生了DQ-DQS skew。
如下圖所示。
對于DFI主板來說，建議設(shè)置為Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在犧牲一定性能的情況下，可以增加穩(wěn)定性。
DQS Skew Value
可選的設(shè)置：Auto，0-255，步進(jìn)值為1。
當(dāng)我們開啟了DQS skew control后，該選項(xiàng)用來設(shè)定增加或減少的數(shù)值。這個(gè)參數(shù)對系統(tǒng)的影響并不很敏感。 對于DFI主板來說，開啟"Increase Skew"選項(xiàng)后，可以將該值設(shè)為50-255之間的值。值越大，表示速度越快。
DRAM Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-8，步進(jìn)值為1。
DRAM Drive Strength（也被稱為：driving strength），表示“DRAM驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)用來控制內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高，增加信號強(qiáng)度可以提高超頻的穩(wěn)定性。但是并非信號強(qiáng)度高就一定好，三星的TCCD內(nèi)存芯片在低強(qiáng)度信號下性能更佳。
如果設(shè)為Auto，系統(tǒng)通常會(huì)設(shè)定為一個(gè)較低的值。對使用TCCD的芯片而言，表現(xiàn)會(huì)好一些。但是其他的內(nèi)存芯片就并非如此了，根據(jù)在DFI NF4主板上調(diào)試和測試的結(jié)果，1、3、5 、7都是性能較弱的參數(shù)，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設(shè)置，8提供了最強(qiáng)的信號強(qiáng)度。TCCD建議參數(shù)為3、5或7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為6或8。
DFI用戶建議設(shè)置：TCCD建議參數(shù)為3、5、7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為6或8。
DRAM Data Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-4，步進(jìn)值為1。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)決定內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高。它主要用于處理高負(fù)荷的內(nèi)存讀取時(shí)，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統(tǒng)內(nèi)存的讀取負(fù)荷很高，則應(yīng)將該值設(shè)置為高(Hi/High)。它有助于對內(nèi)存數(shù)據(jù)總線超頻。但如果你并沒有超頻，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)線的信號強(qiáng)度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。此外，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度并不能增強(qiáng)SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內(nèi)存有很高的讀取負(fù)荷或試圖超頻DIMM，建議設(shè)置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。
要處理大負(fù)荷的數(shù)據(jù)流時(shí)，需要提高內(nèi)存的駕馭能力，你可以設(shè)為Hi或者High。超頻時(shí)，調(diào)高此項(xiàng)參數(shù)可以提高穩(wěn)定性。此外，這個(gè)參數(shù)對內(nèi)存性能幾乎沒什么影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設(shè)為Lo/Low。
DFI用戶建議設(shè)置：普通用戶建議使用level 1或3，如果開啟了CPC，可能任何高于1的參數(shù)都會(huì)不穩(wěn)定。部分用戶開啟CPC后能運(yùn)行在3。更多的人關(guān)閉CPC后2-4都能夠穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)然最理想的參數(shù)是開啟CPC后設(shè)為level4。
Strength Max Async Latency
可選的設(shè)置：Auto，0-15，步進(jìn)值為1。
Strength Max Async Latency目前還沒能找到任何關(guān)于此項(xiàng)參數(shù)的說明，不知道其功能。感覺網(wǎng)友的經(jīng)驗(yàn)，在進(jìn)行Everest的LatencyTest時(shí)，可以看出一些差別。在我的BH-6上，參數(shù)從8ns到7ns在Latency Test的測試結(jié)果中有1ns的區(qū)別。從7ns調(diào)低6ns后，測試結(jié)果又減少了2ns。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的默認(rèn)值為7ns，建議大家在5-10之間調(diào)節(jié)。6ns對內(nèi)存的要求就比較高了，建議使用BH-5和UTT芯片的用戶可以嘗試一下，但對TCCD不適用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5設(shè)為7n比較適合超頻。8ns對UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns時(shí)TCCD通常能穩(wěn)定運(yùn)行在DDR600，如果想超頻到DDR640就必須設(shè)為9ns甚至更高了。
Read Preamble Time
可選的設(shè)置：Auto，2.0-9.5，步進(jìn)值為0.5。
Read Preamble Time這個(gè)參數(shù)表示DQS（數(shù)據(jù)控制信號）返回后，DQS又被開啟時(shí)的時(shí)間間隔。Samsung早期的顯存資料顯示，這個(gè)參數(shù)是用以提升性能的。DQS信號是雙向的，無論從圖形控制器到DDR SGRAM還是從DDR SGRAM到圖形控制器都起作用。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的該值設(shè)置為Auto時(shí)，實(shí)際上此時(shí)執(zhí)行的是默認(rèn)值5.0。建議大家在4.0-7.0之間調(diào)節(jié)，該值越小越好。
Idle Cycle Limit
可選的設(shè)置：Auto，0-256，無固定步進(jìn)值。
Idle Cycle Limit這個(gè)參數(shù)表示“空閑周期限制”。這個(gè)參數(shù)指定強(qiáng)制關(guān)閉一個(gè)也打開的內(nèi)存頁面之前的memclock數(shù)值，也就是讀取一個(gè)內(nèi)存頁面之前，強(qiáng)制對該頁面進(jìn)行重充電操作所允許的最大時(shí)間。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的該值設(shè)置為Auto時(shí)，實(shí)際上此時(shí)執(zhí)行的是默認(rèn)值256。質(zhì)量好的內(nèi)存可以嘗試16-32，華邦（WINBOND）BH-5顆粒的產(chǎn)品能穩(wěn)定運(yùn)行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。
Dynamic Counter
可選的設(shè)置：Auto， Enable， Disable。
Dynamic Counter這個(gè)參數(shù)表示“動(dòng)態(tài)計(jì)數(shù)器”。這個(gè)參數(shù)指定開啟還是關(guān)閉動(dòng)態(tài)空閑周期計(jì)數(shù)器。如果選擇開啟（Enable），則會(huì)每次進(jìn)入內(nèi)存頁表(Page Table)就強(qiáng)制根據(jù)頁面沖突和頁面錯(cuò)誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通信量的比率而動(dòng)態(tài)調(diào)整Idle Cycle Limit的值。這個(gè)參數(shù)和前一個(gè)Idle Cycle Limit是密切相關(guān)的，啟用后會(huì)屏蔽掉當(dāng)前的Idle Cycle Limit，并且根據(jù)沖突的發(fā)生來動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的該值設(shè)置為Auto和關(guān)閉和一樣的。打開該設(shè)置可能會(huì)提升性能，而關(guān)閉該設(shè)置，可以使系統(tǒng)的更穩(wěn)定。
R/W Queue Bypass
可選的設(shè)置：Auto，2x，4x，8x，16x。
R/W Queue Bypass表示“讀／寫隊(duì)列忽略”。這個(gè)參數(shù)指定在優(yōu)化器被重寫及DCI (設(shè)備控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫隊(duì)列的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)和前一個(gè)Idle Cycle Limit是相類似，只是優(yōu)化器影響內(nèi)存中的讀／寫隊(duì)列。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的該值默認(rèn)為16x。如果你的系統(tǒng)穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統(tǒng)性能越強(qiáng)，該值越小，則會(huì)是系統(tǒng)越穩(wěn)定。
Bypass Max
可選的設(shè)置：Auto， 0x-7x， 步進(jìn)值為1。
Bypass Max表示“最大忽略時(shí)間”。這個(gè)參數(shù)表示優(yōu)化器選擇否決之前，最后進(jìn)入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被優(yōu)化器忽略的時(shí)間。仔細(xì)研究后，我覺得這個(gè)參數(shù)會(huì)影響內(nèi)存到CPU內(nèi)存控制器的連接。
DFI主板建議設(shè)置：BIOS中的該值默認(rèn)為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的性能及穩(wěn)定性。如果你的系統(tǒng)穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統(tǒng)性能越強(qiáng)，該值越小，則會(huì)是系統(tǒng)越穩(wěn)定。
32 Byte Granulation
可選的設(shè)置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。
32 Byte Granulation表示"32位顆?；?quot;。當(dāng)該參數(shù)設(shè)置為關(guān)閉(Disable)時(shí)，就可以選擇突發(fā)計(jì)數(shù)器，并在32位的數(shù)據(jù)存取的情況下，最優(yōu)化數(shù)據(jù)總線帶寬。因此該參數(shù)關(guān)閉后可以達(dá)到最佳性能的目的。
DFI主板建議設(shè)置：絕大多數(shù)情況下，建議選擇Disable(8burst)選項(xiàng)。開啟Enable (4burst)可以使系統(tǒng)更穩(wěn)定一些。
