過去的一年里，內(nèi)存價格不斷上漲，8GB DDR4內(nèi)存接近千元，DDR3內(nèi)存也被帶動漲了一波。今年內(nèi)存價格雖有所下跌，但仍然遠超去年同期水平。

大家知道，電腦是由眾多硬件組成，而每個部件都會有替代品。比如顯卡漲價了，我們買一款二手顯卡就可以，實在太貴，我們還可以使用CPU的核顯；固態(tài)硬盤漲價了，大家可以先使用機械硬盤，等到降價了再買；CPU就更不用說了，購買老型號或者超頻都能再戰(zhàn)幾年。

唯獨

沒有替代品，無論是DDR3還是DDR4，沒有內(nèi)存就開不了機。內(nèi)存小電腦也會特別的卡，這就導(dǎo)致很多朋友干脆放棄了裝機，這對DIY行業(yè)的傷害是非常巨大的。

內(nèi)存漲價原因

我們知道，內(nèi)存每一次漲價都是有原因的，基本都是“天災(zāi)”，當然這種“天災(zāi)”背后的真相我們不得而知。

之前內(nèi)存漲價是因為工廠發(fā)生了水災(zāi)，后來又是火災(zāi)，最近美光又曝出工廠出現(xiàn)故障，總之，各種各樣的窘境導(dǎo)致了內(nèi)存漲價。

但這一次內(nèi)存漲價持續(xù)了一年之久，就不是簡單的“天災(zāi)”問題了。

筆者認為：目前內(nèi)存價格上漲與服務(wù)器市場和智能手機市場的火熱有著分不開的關(guān)系。2017年大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的概念非常火熱， 這些產(chǎn)品都需要內(nèi)存，所以內(nèi)存行業(yè)的平衡被打破，漲價成為必然。

此外，挖礦行業(yè)的火爆也對內(nèi)存漲價有一定推動作用，雖然礦機對內(nèi)存要求不高，但是整體市場體量龐大。三星、美光、SK Hynix三大廠商因此轉(zhuǎn)而面向服務(wù)器客戶和大量礦機客戶，使得DIY市場DRAM顆粒嚴重不足。

雖然現(xiàn)在各大廠商都計劃建廠增產(chǎn)，但遠水解不了近渴，這種局面造成2017全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。所以內(nèi)存價格仍會居高不下。

還有一點對內(nèi)存市場不利的是，2017年制作內(nèi)存的PCB板和組裝成本都在上漲，造成內(nèi)存整體成本價格不斷上漲，因此造成其零售價的漲幅變大。

2018年內(nèi)存會降價嗎？

給大家吃一個定心丸，內(nèi)存今年一定會降價，但是不是現(xiàn)在，時間預(yù)計下半年或年底?！　?/p>

內(nèi)存價格行情要從兩方面分析：

供：DRAM增產(chǎn)有序進行中

內(nèi)存最貴的部分就是DRAM，而全球DDR4 DRAM廠商只有三家，三星、美光、海力士，下面來看一下三家閃存廠商的情況。

目前三星位于韓國平澤市的全球最大閃存工廠已經(jīng)正式開工， 閃存產(chǎn)量正在穩(wěn)定提升中。并且三星在中國西安也投資升級閃存工廠，但三年才會投產(chǎn)。

美光方面， 美光正在加強對臺灣工廠的投資，預(yù)計每年20億美元，工藝制程將從25nm提升至1xnm，所以生產(chǎn)效率將提升不少。

海力士則也在中國開啟了全新的投資計劃，在中國無錫，海力士打造的超級閃存工廠u通產(chǎn)能提升了2倍，將為全球內(nèi)存提供15%的產(chǎn)能！

需：智能手機預(yù)冷

智能手機方面，由于市場未達到預(yù)期（2017年12月國內(nèi)手機銷量4261萬部，同比下滑32.5%，1-12月總銷量4.91億部，同比下滑了12.3%。），所以整體智能手機內(nèi)存并未繼續(xù)擴大。近期雖然新機不斷，但可以看到中高端手機仍然4GB和6GB內(nèi)存居多，8GB內(nèi)存鳳毛麟角。

所以內(nèi)存再以智能手機為由漲價似乎站不住腳了。

礦機方面，近期虛擬貨幣受政策影響狂跌不止，挖礦成本居高不下，因此礦機銷量已基本擱置，內(nèi)存供需不平衡的關(guān)系將被打破。

綜上所述，內(nèi)存降價是板上釘釘了。