常見顯存對比

2020-07-19 19:06:48

字體：大中小

供稿：網(wǎng)友

　　無論內(nèi)存也好，顯存也好，其實都是由數(shù)量龐大的集成電路組合而成，只不過這些電路，都是需要最后打包完成，這類將集成電路打包的技術就是所謂的封裝技術，我們先來看看常見的兩種封裝方式：
　　TSOP封裝技術
　　TSOP的全名為“Thin Small Outline Package”，即“薄型小尺寸封裝”，它在封裝芯片的周圍做出引腳，TSOP適合用SMT技術在PCB板上安裝布線。TSOP封裝，寄生參數(shù)減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高，是比較成熟的一種封裝技術，目前常用于低端產(chǎn)品。

　　BGA封裝技術
　　BGA全名為“Ball Grid Array Package”，即“球柵陣列封裝”，與TSOP相比，BGA封裝具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能，可以使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。是比較先進的一種封裝形式，當然，價格也比TSOP封裝的要貴，是目前市場上的主流產(chǎn)品。

　　GDDR1顯存
　　常見的GDDR1顯存，一般分為TSOP封裝和BGA封裝。TSOP封裝DDR內(nèi)存價格低廉，廣泛應用在MX4000、FX5200、Radeon9200/9250、9550和6200A這些入門級別顯卡上，一般頻率可達600MHz（TSOP）或900 MHz（mBGA）。

圖1
　　TSOP封裝的GDDR1顯存顆粒（5ns運行頻率400MHz）

圖2
　　MBGA封裝的GDDR1顯存顆粒（2.8ns運行頻率700MHz）

　　GDDR2顯存
　　GDDR2的真正翻身出現(xiàn)在2005年Q2，GDDR2以全新的x16bit規(guī)格和我們見面，更低的工作的電壓和更大的單顆容量使得GDDR2迅速火熱，但其工作頻率并沒有大幅提高，一般在800-1000MHz左右。

圖3
　　MBGA封裝的GDDR2顯存顆粒（2.5ns運行頻率800MHz）

　　GDDR3顯存
　　GDDR3的賣點在于電器性能，GDDR3工作電壓要低于GDDR2，在相同工作頻率下比起前代內(nèi)存更為省電，并且擁有更大的單顆容量，。GDDR3低功耗、高頻率和單顆容量大這三大優(yōu)點，使得GDDR3成為目前市場上的主流。一般運行頻率為900-1800MHz。

圖4
　　MBGA封裝的GDDR3顯存顆粒（1.2ns運行頻率1600MHz）

　　GDDR4顯存
　　為了更高的頻率，GDDR4應運而生，并被采用在一些旗艦產(chǎn)品中，如ATI的X1950XT，HD 2900XT等，高達2000MHz以上的頻率帶來了巨大的帶寬，以滿足今后一段時間顯卡的需求，不過現(xiàn)在看來成本依然相當昂貴。