業界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年，當時的說法是2014年就將啟動標準制定，但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X，也不見GDDR6的蹤影。

據外媒報道，繼三星之后，美光也談及了自己未來的存儲規劃，其中就涉及GDDR6顯存。

美光計劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進到1Xnm，預計是16nm。同時，他們表示G5X顯存的需求將迎來增長，考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會采用。

至于GDDR6，定于今年底或者明年初正式發布。

規格方面美光沒有更多資料分享，但此前三星簡單介紹過，GDDR6顯存的單根引腳帶寬最高可達16Gbps，是GDDR5的2倍，也高于G5X理論峰值12Gbps。

工作電壓1.35V，和G5X一致，比G5低。

我們以一張256bit的顯卡來看，總帶寬最高可達512GB/s，完全媲美HBM一代顯存了，甚至看齊AMD的縮水二代。

我們知道，美光走的是和HBM陣營完全不同的HMC，只是進度不佳，但靠著GDDR容量、價格上的優勢和改良款式，仍在中高端盡力搏殺。