CMOS 開機電路

CMOS(Comple mentary Metal-Oxide Semiconductor)是互補金屬氧化物半導體存儲器,CMOS
是一種可讀存儲器
RAM,集成在主板南橋中,CMOS主要用來保存日期,時間,內存的容量,硬盤的類型和數目,顯卡的類型,當前系統的硬件配置和用戶設置等重要信息。

一．主板 CMOS 電路組成:

主要由 CMOS 隨機存儲器,實時時鐘電路/RTC 電路(振蕩器,晶振,諧振電容)電池/BAT 和 CMOS 跳線等幾部分組成。

工作條件：VBAT、RTC跳線、3.3VSB、32.768KHZ、RSMRST

二.CMOS 電路簡圖:

（本圖紙引用自INTEL+VIA(精英P4M800PRO-M-v10)）

首先是電池電壓，經過電阻R466，加到三端二極管D20的2腳，（為主板沒有插220V電壓時候，提供一個3V左右的一個電壓，給存貯器） 二極管3腳輸出，經過C366濾波，加到跳線JBAT1 的1腳，然后經過跳線帽設置，由CB118濾波之后，加到南橋內部。

2011-4-29 22:11:50 上傳

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2011-4-29 22:23:27 上傳

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三.供電說明:

當主板接電后,A點的電壓為3.3V , B點的電壓為3V(電池電壓的 C 點與 B 點反向偏壓截止),同時實時鐘(RTC)電路向 CMOS 隨機存儲提供時鐘(CLK)信號,CMOS 電路處于工作狀態,當主板斷電后,瞬間A 點電壓變低,當低于 3V 時,B 點電壓比 A 點電壓高,電流從 B 點流向C 點,此時由電池向CMOS 電路供電,保持CMOS 電路正常工作,CMOS存儲器中的信息不丟失。

四.工作特點:

功耗低（10 毫微瓦）,可隨機讀取或寫入數據,斷電后用外加電池來保持存儲器的內容不丟失,CMOS 隨機存儲器的容量一般為 64 字節或128 字節。

五.CMOS 電路常見故障現象:（可用 CMOS 放電處理此類問題）

1.主板不能開機；

2.斷電或不通電；

3.System 不引導;

4.不讀內存；

5.不認硬件；

6.死機藍屏;

7.Cmos 保存不了設置。

清除 CMOS 存儲器中的信息，開機后再從 BIOS 只讀存儲器中讀取主板出廠時的默認值。

六.CMOS 電路的故障檢修:

A，保存不了 CMOS 設置：

1.電池電壓 2.5V 以上，CMOS 跳線 2V 以上; 注意:電池插座,INTEL 跳線座在主板通電后才會有電壓

2.32.768KHZ 晶體是否啟振;

3.更換諧振電容;

4.換 IO;

5.換南橋。

B.時間不對，快或慢:

1.換 32.768 晶振;

2.更換諧振電容;

3.換南橋。

C.進 CMOS 設置程序,保存退出黑屏:

1.刷 BIOS;

2.換 I/O;

3.換南橋.

D.CMOS 跳線上無壓或偏低:拆除跳帽，測量跳線上有無 2.0V 以上電壓:

E.32.768KHZ 晶體不啟振:

七.沒有 3VSB 的維修方法：

(1)量輸入腳 5VSB 有無電壓到達：

(2)量輸出腳對地阻值有無短路：短路：  ①拆除集成網卡;②換 SB.

                             正常：  ①確定控制腳上元器件有無損壞;②換三端穩壓管.(多數為此問題)

關鍵測試點

第一測試點：看電池是否有電，一般不低于 2.5V。CMOS 無電，造成不能開機（主要出現在品牌機，組裝機后一般不會）、CMOS 信息保存不了、不過內存和顯卡等，CMOS 無電時，也不跑代碼。

第二測試點：判斷測試點跳線是否沒跳，或跳錯。跳錯會導致：通電后 CPU 風扇轉一下就?；驘o反應、CMOS 信息不能保存。

第三測試點：判斷晶振是否起振，晶振兩端電壓必須不相同，才能起振。晶振損壞后，會出現：兩腳無電壓；兩腳電壓一樣；一腳有電壓，一腳無電壓；摸晶振時候，可以跑代碼或者開機，不摸時候不能開機或者跑代碼。以上反映的現象是晶振諧振電容都正常情況下，為南橋南橋虛焊或者損壞。

故障現象：①CMOS 信息不能保存。（供電、跳線都正常）晶振壞。

②不能開機或跑代碼。

③有時能開機，有時不能開機。

④系統時間不同步。（調節后，還是和實際時間不同）

⑤藍屏，死機。（運行時候突然出現）

第四測試點：正電穩壓器，損壞不能開機。

電阻損壞：供電不足，CMOS 時間不保存。（電阻阻值變大或者燒斷）三端二極管：上部擊穿，電池消耗過快。下部斷路，開不了機。擊穿基本沒影響。