目前的主流內(nèi)存分為 DDR2和 DDR3 ！

1、DDR內(nèi)存
    DDR（全稱 Double Data Rate）內(nèi)存是一種繼 SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，能在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，即在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，所以也稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存的金手指上只有一個缺口。
    SDRAM是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”，該內(nèi)存的特性是只在一個時鐘周期的上升期進(jìn)行一次操作（讀或?qū)懀㏒DRAM 的金手指上有兩個缺口
要點：DDR2內(nèi)存與DDR內(nèi)存在外形上十分相似，不同之處在其引腳：DDR是 184個觸點，而DDR2有 240個。
2、DDR2 內(nèi)存
    DDR2內(nèi)存是DDR內(nèi)存的后繼產(chǎn)品，它具有更高的速度，更高的帶寬，同時功耗得以降低，并且DDR2將采用新的封裝工藝進(jìn)行散熱。
    DDR2和 DDR的技術(shù)基本是類似的，只是 DDR2 開始引入了4位預(yù)讀取來改善內(nèi)存運行頻率的效率，也就是說其一個時鐘周期內(nèi)可以進(jìn)行4 次數(shù)據(jù)的存取，這比DDR的2次高了一倍。
要點：DDR2內(nèi)存是在 DDR內(nèi)存基礎(chǔ)上作出的改良，在同一內(nèi)存核心頻率下，DDR2的內(nèi)存會比DDR傳輸速度快一倍。
3、DDR3 內(nèi)存
從技術(shù)上來講，DDR3內(nèi)存是對DDR2內(nèi)存的改進(jìn)，從DDR2內(nèi)存的4位預(yù)讀提高為8 位預(yù)讀，因此在同等頻率下的數(shù)據(jù)傳輸能力要比DDR2 內(nèi)存高兩倍。 
要點：據(jù)預(yù)測，英特爾將在 2007年下半年正式轉(zhuǎn)向 DDR III內(nèi)存，這種內(nèi)存將在 2009年第一季度取代 DDR II而正式成為主流。 
ECC是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，價格要比普通內(nèi)存要貴，一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上，比較安全穩(wěn)定。