說起內存，相信大家都不陌生。不過，大家的目光除了更多地投放在內存芯片顆粒上之外，很少會注意到內存PCB(印刷電路板)邊上還有一顆體積較小(大約為3mm×4mm×1.5mm)的芯片，這就是SPD芯片。

什么是SPD

SPD(Serial Presence Detect，串行存在檢測)是一顆8針的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦寫可編程只讀存儲器)芯片。它一般位于內存條正面的右側(如圖1)，采用SOIC封裝形式，容量為256字節(Byte)。SPD芯片內記錄了該內存的許多重要信息，諸如內存的芯片及模組廠商、工作頻率、工作電壓、速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數。SPD信息一般都是在出廠前，由內存模組制造商根據內存芯片的實際性能寫入到ROM芯片中。

圖1

SPD的作用是什么

啟動計算機后，主板BIOS就會讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組就會根據這些參數信息來自動配置相應的內存工作時序與控制寄存器，從而可以充分發揮內存條的性能。上述情況實現的前提條件是在BIOS設置界面中，將內存設置選項設為“By SPD”。當主板從內存條中不能檢測到SPD信息時，它就只能提供一個較為保守的配置。

從某種意義上來說，SPD芯片是識別內存品牌的一個重要標志。如果SPD內的參數值設置得不合理，不但不能起到優化內存的作用，反而還會引起系統工作不穩定，甚至死機。因此，很多普通內存或兼容內存廠商為了避免兼容性問題，一般都將SPD中的內存工作參數設置得較為保守，從而限制了內存性能的充分發揮。更有甚者，一些不法廠商通過專門的讀寫設備去更改SPD信息，以騙過計算機的檢測，得出與實際不一致的數據，從而欺騙消費者。

如何查看SPD信息

一般來說，品牌內存都有SPD設置，只要借助SiSoft Sandra2004或EVEREST等工具軟件，就可以查看SPD芯片中的一些重要信息。以前者為例：運行SiSoft Sandra2004后，用鼠標雙擊主窗口中的“Mainboard Information”模塊，在隨后出現的界面內就可以看到“Memory Module”信息了(如圖2)。

圖2

下面我們就以軟件中顯示的“256MB 8×(32Mbit×8)DDR-SDRAM PC2100U-2533-750(CL2.5 up to 100MHz)”為例，來說明DDR SDRAM內存的SPD信息的表示方式。這里的“PC2100U-2533-750”就是該內存的SPD值了。其中：

第一段：“PC2100”指內存帶寬，單位為MB/s，即該內存帶寬為2100MB/s，對應的內存標準工作頻率為2100MHz×1/16(133MHz，即DDR266內存);“U”代表DIMM模塊不含緩沖區。

第二段：“25”表示CAS(列地址選通脈沖)延遲時間(即CL值)，用時鐘周期表示，這里25代表CL=2.5;“33”中的前一個3表示RAS相對CAS的延時，單位是時鐘周期，第二個3則表示RAS(行地址選通脈沖)預充電時間。

第三段：“75”表示相對于時鐘下沿的數據讀取時間，即7.5ns;最后一個數字0代表SPD的版本，如0代表SPD版本為1.0。

利用SPD進行優化

一般來說，影響內存性能高低的因素主要是以下兩點，一是內存工作頻率過低，無法和CPU同步運行。二是內存傳輸數據時的延遲時間過長，限制了內存的數據存取速度。因此，只要對主板BIOS進行設置，修改SPD值，就可以使內存性能得到進一步的優化。

1.提高內存工作頻率

啟動計算機，進入主板BIOS設置(這里以Award BIOS、P4系統為例)中“Advanced Chipset Feature”界面，選擇“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中顯示的內容就是CPU外頻對內存的頻率比例。

注：默認設置為“SPD”，即“自動偵測模式”。在SPD模式下，系統自動從內存的SPD芯片中獲取信息，所以理論上說，此時內存的工作狀態是最穩定的。

如果想超頻內存，就需要手動設置CPU與內存的工作頻率比例來更好地調節與SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外頻為133MHz，要將DDR333內存超頻到200MHz外頻使用，那么就需要選擇“2∶3”的比值。如果要讓DDR266內存超頻到DDR333，無疑就要選擇“3∶4”。

如果要保證調節后的穩定性，有時需要在BIOS中手動提高內存的工作電壓。方法是：選擇“Add Voltage”，然后進行調節。切記：在提高內存工作電壓的時候，要循序漸進，切勿一次提高過多而損壞內存。

2.調整內存延遲時間

我們知道，內存總延遲時間=內存時鐘周期×CL數值+數據存取時間(tAC值)，因此，只要在BIOS中修改內存的相應參數值，就可以提升內存的性能。下面，我們就進入“Advanced Chipset Feature”設置界面進行說明：

(1)修改CAS延遲時間(CL值)。它表示內存進行讀寫操作前，列地址控制器的等待時間。CAS參數選項為“CAS Latency Time”，數值選擇有2.、2.5或者3，如果內存品質較高，可以將數值設為2。

(2)修改tRCD值。它表示內存行地址控制器到列地址控制器的延遲時間。其參數選項為“DRAM RAS To CAS Delay”，數值選擇有2、3等。同樣是越小越好。

(3)修改tRP值。它表示內存行地址控制器預充電時間，其參數選項為“Active to Precharge Delay”，數值選擇有2、3等，參數越小說明內存讀寫速度就越快。

(4)修改tRAS值。它表示內存行地址選中前的延遲時間。其參數選項為“DRAM RAS Precharge”，數值選擇有5、6、7等。數字越小，延遲時間越短。