1.內存尋址

首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然后再找出存取資料的位置時(這個動作稱為“尋址”)，它先定出橫坐標(也就是“列地址”)再定出縱坐標(也就是“行地址”)，這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對于電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號(也就是RAS信號，Row Address Strobe)縱坐標有縱坐標的信號(也就是CAS信號，Column Address Strobe)，最后再進行讀或寫的動作。因此，內存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字(內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作)以及或讀或寫的操作，才能完成內存的存取操作。

2.內存傳輸

為了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址(也就是我們所說的十字尋址方式)，這個時候，CPU會通過地址總線(Address Bus)將地址送到內存，然后數據總線(Data Bus)就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。

3.存取時間

所謂存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱為總線循環(bus cycle)。以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU后便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回復指令，并丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns(納秒，秒-9)就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率為1/6ns=166MHz(如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667)。 //本文來自武林網www.49028c.com

4.內存延遲

內存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘周期來傳送數據，數據從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘周期)。一般的說明內存延遲涉及四個參數CAS(Column Address Strobe 行地址控制器)延遲，RAS(Row Address Strobe列地址控制器)-to-CAS延遲，RAS Precharge(RAS預沖電壓)延遲，Act-to-Precharge(相對于時鐘下沿的數據讀取時間)延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內存從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的數據3—3—3—6中，第一參數就是CAS延遲(CL=3)。當然，延遲越小速度越快。