內存參數終極優化之DDR篇

2020-10-26 22:24:43

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供稿：網友

在一些超頻的文章中經常介紹到內存的時序設置，如“2-3-3-5”、“2-3-3-6”這一類的數字序列，這些是什么意思呢？如何對內存參數進行優化設置呢？還有，有的會員問：“我買了雜牌內存，兼容性差，常常藍屏或出現莫名其妙的問題，如何解決呢？”，一夢浮生撰寫本文的目的，就是想通過本文來幫助大家解決這些問題的。
　　優化內存的延遲參數對PC性能的提高有很大幫助。優化內存是通過調節BIOS中幾個內存時序參數來實現的，如圖：

　在一些技術文章里介紹內存設置時序參數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個參數及BIOS設置中影響內存性能的其它參數逐一給大家作一介紹：
　　一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置
　　首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現詳細的時序參數列表：
　　1、CL（CAS Latency）：“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
　　BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個參數很重要，內存條上一般都有這個參數標記。在BIOS設置中DDR內存的CAS參數選項通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個選項。較低的CAS周期能減少內存的潛伏周期以提高內存的工作效率。因此只要能夠穩定運行操作系統，我們應當盡量把CAS參數調低。反過來，如果內存運行不穩定，可以將此參數設大，以提高內存穩定性。
　　2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行尋址至列尋址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5）
　　BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數值越小，性能越好。
　　
　　3、tRP(RAS Precharge Time): “內存行地址控制器預充電時間”（可能的選項：2/3/4）
　　BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。
　　4.tRAS(RAS Active Time): “內存行有效至預充電的最短周期”（可能的選項：1……5/6/7……15）
　　BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我們可選的參數選項有5，6或者7這3個，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達到 1。調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－11之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。具體的調整要遵循以下兩個原則：
　　a、當內存頁面數為4時，tRAS設置短一些可能會更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的內存性能相對于長tRAS可能會產生更大的波動性，對時鐘頻率的提高也相對敏感；當內存頁面數大于或等于8時，tRAS設置長一些會更好。
　　目前的芯片組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙P-Bank的內存模組以增加系統內存的頁面數量。但怎么分辨是單P-Bank還是雙 P-Bank呢？就目前市場上的產品而言，256MB的模組基本都是單P-Bank的，雙面但每面只有4顆芯片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
　　頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的雙通道平臺，則還要除以2。比如兩條單面256MB內存，就是 2X4=8個頁面，用在875上組成雙通道就成了4個頁面。
　　b、對于875和865平臺，雙通道時頁面數達到8或者以上時，tRAS設置長一些內存性能更好；對于非雙通道Pentium4與AMD 64 平臺，tRAS長短之間的性能差異要縮小

二、Bank Interleaving“內存交錯技術”（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。有人甚至認為啟用內存交錯對于系統性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。
　　Intel和VIA都支持內存交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出于對系統的穩定性考慮，很多支持該技術的主板在默認情況下都關閉了內存交錯技術，或最多開啟2路內存交錯模式――雖然4路交錯可以帶來更大的性能提升。通過升級BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機會開啟內存交錯設置項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。
　　三、Burst Length“突發長度”（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設為4。

　　四、Command Rate“首命令延遲”（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。
　　五、DRAM Clock“內存時鐘頻率”（可能的選項：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk 33MHz，說明：Host Clock即總線頻率和內存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk 33MHz即總線頻率 33MHz”等三種模式可選。）
　　在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。
　　通過調整該參數，我們不僅可以讓“老”內存發揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產品，都支持內存異步。
　　注意：在BIOS中對內存進行優化設置可能會對電腦運行的穩定性造成不良影響，所以建議內存優化后一定要使用測試軟件進行電腦穩定性和速度的測試。如果您對自己內存的性能沒有信心，那么最好采取保守設置，畢竟穩定性是最重要的。如果因內存優化而出現電腦經常死機、重啟動或程序發生異常錯誤等情況，只要清除CMOS參數，再次設置成系統默認的數值就可以了。同時，如果內存運行不穩定或兼容性差，可以根據文章中的相關介紹，反優化之道行之，可起到提高內存穩定性的效果。
　　說明：本文系參閱網上有關內存優化的不少文章整理而成，從實用和全面的角度出發，去掉了不少專業性太強的陳述及評測，旨在幫助菜鳥朋友們了解內存設置，化化內存，提高系統性能，解決內存不穩定和兼容性差而引發的故障。

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