看芯片識內存
2020-10-26 22:23:26
供稿：網友
內存芯片如按廠家所屬地域來分主要有日，韓廠家，歐美及中國［含臺灣省］廠家等等?？淳幪栕R內存芯片是了解內存的一個好方法，下面筆者就千辛萬苦收集了一大批資料，帶你去了解下它們：
主要的內存芯片廠商的名稱既芯片代號如下：
現代電子HYUNDAI：HY［注：代號］
三星SAMSUNG：KM或M
NBM：AAA
西門子SIEMENS：HYB
高士達LG-SEMICON：GM
HITSUBISHI：M5M
富士通FUJITSU：MB
摩托羅拉MOTOROLA：MCM
MATSUSHITA：MN
OKI：MSM
美凱龍MICRON：MT
德州儀器TMS：TI
東芝TOSHIBA：TD或TC
日立HITACHI：HM
STI：TM
日電NEC：uPD
IBM：BM
NPNX：NN
一.日本產系列：
主要廠家有Hitachi［日立］，Toshiba［東芝］，NEC［日電］，Mitsubishi［三菱］等等，日產晶圓的特點是品質不錯，價格稍高。
1.HITACHI［日立］。
日立內存質量不錯，許多PC100的皆可穩上133MHz。它的穩定性好，做工精細，日立內存芯片的編號有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,區別是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外頻，
HITACHI的SDRAM芯片上的標識為以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的產品，52是SDRAM，如為51則為EDO DRAM。
第1、2個X代表容量。
第3、4個X表示數據位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。
第5個X表示是第幾個版本的內核，現在至少已經排到"F"了。
第6個X如果是字母"L"就是低功耗?？瞻讋t為普通。
TT為TSOII封裝。
最后XX代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
A60：10ns［PC-100 CL2或3］
B60：10ns［PC-100 CL3］
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位輸出，100MHZ時CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的標識通常為以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的產品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2個X代表容量。
第3或4個X表示數據位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當數據位寬為16位和32位時，使用兩位，即占用第4個X。由于NEC的標識的長度固定，這會對下面的數字造成影響。
第4或5個X代表Bank。"3"或"4"代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；"2"代表2個Bank。
第5個X，如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的芯片，第5個X已被占用，則第5個X有雙重含義，如"1"代表2個Bank和LVTTL，"3"代表4個Bank和LVTTL。
G5為TSOPII封裝。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns［125MHz］
10：10ns［PC100 CL 3］
10B：10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范。
12：12ns
70：［PC133］
75：［PC133］
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白則為普通。
-XXX：第一人X通常為數字，如64Mbit芯片上常為準，16Mbit芯片上常為7，規律不詳。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計與封裝外型有關："NF"對應: 44-pinTSOP-II；"JF"對應54-pin TSOPII；"JH"對應86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4個Bank，在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2。
3.TOSHIBA東芝。
TOSHIBA的芯片上的標識為以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是東芝的產品。
59代表是SDRAM系列。其后的S為普通SDRAM，R為Rambus SDRAM，W為DDR SDRAM。
第1、2個X代表容量。64為64Mbit，M7為128Mbit。
第3、4個X表示數據位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
第5個X估計是用來表示內核的版本。目前常見的為"B"。
FT為TSOPII封裝。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白則為普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
10：10ns［100MHz CL="3"］
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且為低功耗型號。
