當(dāng)你拿到一條內(nèi)存的時(shí)候，能看出它的容量嗎？雖然我們可以把它插到機(jī)器上測(cè)試出來(lái)，但對(duì)于一個(gè)內(nèi)行人來(lái)說(shuō)，看一眼就能知道內(nèi)存條的大小顯然是有意義的，并且并不難做到。

通過(guò)查驗(yàn)內(nèi)存顆粒的型號(hào)，我們就可以計(jì)算出內(nèi)存的容量。雖然目前生產(chǎn)內(nèi)存條的廠商有許多，但能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒、并且能夠占領(lǐng)市場(chǎng)的廠家相對(duì)來(lái)說(shuō)就不多了，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上主流內(nèi)存條所用的內(nèi)存顆粒，主要是一些國(guó)際性的大廠所生產(chǎn)。

下面就以幾個(gè)大廠的內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則為例來(lái)說(shuō)明內(nèi)存容量的辨識(shí)方法。

一、三星內(nèi)存顆粒
目前使用三星的內(nèi)存顆粒來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場(chǎng)上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復(fù)雜。三星內(nèi)存顆粒的型號(hào)采用一個(gè)16位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識(shí)別，所以我們重點(diǎn)介紹這兩部分的含義。

例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0

主要含義：
第1位――芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位――芯片類型4，代表DRAM。
第3位――芯片的更進(jìn)一步的類型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位――容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位――數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位――連線“-”。
第14、15位――芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過(guò)校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過(guò)程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購(gòu)買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

二、Micron內(nèi)存顆粒
Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識(shí)相對(duì)于三星來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來(lái)說(shuō)明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

含義：
MT――Micron的廠商名稱。
48――內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC――供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8――內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2――內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
TG――封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75――內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

三、西門子內(nèi)存顆粒
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。

-7.5――表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；
-8――表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：
1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。

四、Kingmax內(nèi)存顆粒
Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來(lái)。

容量備注：
KSVA44T4A0A――64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV884T4A0A――64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV244T4XXX――128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV684T4XXX――128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV864T4XXX――128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開(kāi)標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：
-7A――PC133 /CL=2；
-7――PC133 /CL=3；
-8A――PC100/ CL=2；
-8――PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。