說起內(nèi)存，相信大家都不陌生。不過，大家的目光除了更多地投放在內(nèi)存芯片顆粒上之外，很少會注意到內(nèi)存PCB（印刷電路板）邊上還有一顆體積較小（大約為3mm×4mm×1.5mm）的芯片，這就是SPD芯片。

　　什么是SPD

　　SPD（Serial Presence Detect，串行存在檢測）是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦寫可編程只讀存儲器）芯片。它一般位于內(nèi)存條正面的右側(cè)（如圖1），采用SOIC封裝形式，容量為256字節(jié)（Byte）。SPD芯片內(nèi)記錄了該內(nèi)存的許多重要信息，諸如內(nèi)存的芯片及模組廠商、工作頻率、工作電壓、速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)。SPD信息一般都是在出廠前，由內(nèi)存模組制造商根據(jù)內(nèi)存芯片的實際性能寫入到ROM芯片中。

圖1

　　SPD的作用是什么

　　啟動計算機(jī)后，主板BIOS就會讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組就會根據(jù)這些參數(shù)信息來自動配置相應(yīng)的內(nèi)存工作時序與控制寄存器，從而可以充分發(fā)揮內(nèi)存條的性能。上述情況實現(xiàn)的前提條件是在BIOS設(shè)置界面中，將內(nèi)存設(shè)置選項設(shè)為“By SPD”。當(dāng)主板從內(nèi)存條中不能檢測到SPD信息時，它就只能提供一個較為保守的配置。

　　從某種意義上來說，SPD芯片是識別內(nèi)存品牌的一個重要標(biāo)志。如果SPD內(nèi)的參數(shù)值設(shè)置得不合理，不但不能起到優(yōu)化內(nèi)存的作用，反而還會引起系統(tǒng)工作不穩(wěn)定，甚至死機(jī)。因此，很多普通內(nèi)存或兼容內(nèi)存廠商為了避免兼容性問題，一般都將SPD中的內(nèi)存工作參數(shù)設(shè)置得較為保守，從而限制了內(nèi)存性能的充分發(fā)揮。更有甚者，一些不法廠商通過專門的讀寫設(shè)備去更改SPD信息，以騙過計算機(jī)的檢測，得出與實際不一致的數(shù)據(jù)，從而欺騙消費者。

　　如何查看SPD信息

　　一般來說，品牌內(nèi)存都有SPD設(shè)置，只要借助SiSoft Sandra2004或EVEREST等工具軟件，就可以查看SPD芯片中的一些重要信息。以前者為例：運(yùn)行SiSoft Sandra2004后，用鼠標(biāo)雙擊主窗口中的“Mainboard Information”模塊，在隨后出現(xiàn)的界面內(nèi)就可以看到“Memory Module”信息了（如圖2）。

圖2

　　下面我們就以軟件中顯示的“256MB 8×(32Mbit×8)DDR-SDRAM PC2100U-2533-750(CL2.5 up to 100MHz)”為例，來說明DDR SDRAM內(nèi)存的SPD信息的表示方式。這里的“PC2100U-2533-750”就是該內(nèi)存的SPD值了。其中：

　　第一段：“PC2100”指內(nèi)存帶寬，單位為MB/s，即該內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對應(yīng)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100MHz×1/16（133MHz，即DDR266內(nèi)存）；“U”代表DIMM模塊不含緩沖區(qū)。

　　第二段：“25”表示CAS（列地址選通脈沖）延遲時間（即CL值），用時鐘周期表示，這里25代表CL＝2.5；“33”中的前一個3表示RAS相對CAS的延時，單位是時鐘周期，第二個3則表示RAS（行地址選通脈沖）預(yù)充電時間。

　　第三段：“75”表示相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，即7.5ns；最后一個數(shù)字0代表SPD的版本，如0代表SPD版本為1.0。

　　利用SPD進(jìn)行優(yōu)化

　　一般來說，影響內(nèi)存性能高低的因素主要是以下兩點，一是內(nèi)存工作頻率過低，無法和CPU同步運(yùn)行。二是內(nèi)存?zhèn)鬏敂?shù)據(jù)時的延遲時間過長，限制了內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取速度。因此，只要對主板BIOS進(jìn)行設(shè)置，修改SPD值，就可以使內(nèi)存性能得到進(jìn)一步的優(yōu)化。

　　1.提高內(nèi)存工作頻率

　　啟動計算機(jī)，進(jìn)入主板BIOS設(shè)置（這里以Award BIOS、P4系統(tǒng)為例）中“Advanced Chipset Feature”界面，選擇“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中顯示的內(nèi)容就是CPU外頻對內(nèi)存的頻率比例。

　　注：默認(rèn)設(shè)置為“SPD”，即“自動偵測模式”。在SPD模式下，系統(tǒng)自動從內(nèi)存的SPD芯片中獲取信息，所以理論上說，此時內(nèi)存的工作狀態(tài)是最穩(wěn)定的。

　　如果想超頻內(nèi)存，就需要手動設(shè)置CPU與內(nèi)存的工作頻率比例來更好地調(diào)節(jié)與SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外頻為133MHz，要將DDR333內(nèi)存超頻到200MHz外頻使用，那么就需要選擇“2∶3”的比值。如果要讓DDR266內(nèi)存超頻到DDR333，無疑就要選擇“3∶4”。

　　如果要保證調(diào)節(jié)后的穩(wěn)定性，有時需要在BIOS中手動提高內(nèi)存的工作電壓。方法是：選擇“Add Voltage”，然后進(jìn)行調(diào)節(jié)。切記：在提高內(nèi)存工作電壓的時候，要循序漸進(jìn)，切勿一次提高過多而損壞內(nèi)存。

　　2.調(diào)整內(nèi)存延遲時間

　　我們知道，內(nèi)存總延遲時間＝內(nèi)存時鐘周期×CL數(shù)值＋數(shù)據(jù)存取時間（tAC值），因此，只要在BIOS中修改內(nèi)存的相應(yīng)參數(shù)值，就可以提升內(nèi)存的性能。下面，我們就進(jìn)入“Advanced Chipset Feature”設(shè)置界面進(jìn)行說明：

　?。?）修改CAS延遲時間（CL值）。它表示內(nèi)存進(jìn)行讀寫操作前，列地址控制器的等待時間。CAS參數(shù)選項為“CAS Latency Time”，數(shù)值選擇有2.、2.5或者3，如果內(nèi)存品質(zhì)較高，可以將數(shù)值設(shè)為2。

　?。?）修改tRCD值。它表示內(nèi)存行地址控制器到列地址控制器的延遲時間。其參數(shù)選項為“DRAM RAS To CAS Delay”，數(shù)值選擇有2、3等。同樣是越小越好。

　　（3）修改tRP值。它表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間，其參數(shù)選項為“Active to Precharge Delay”，數(shù)值選擇有2、3等，參數(shù)越小說明內(nèi)存讀寫速度就越快。

　?。?）修改tRAS值。它表示內(nèi)存行地址選中前的延遲時間。其參數(shù)選項為“DRAM RAS Precharge”，數(shù)值選擇有5、6、7等。數(shù)字越小，延遲時間越短。