bios里面設置內存中英文對照
2020-10-26 22:17:50
供稿：網友
Above 1MB Memory Test：設置開機自檢時是否檢測1M以上內存。該選項已經在新的BIOS中被淘汰。由于內存價格暴跌，電腦用戶安裝內存容量陡然增加，開機時的大容量內存自檢時間太長，今后，即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。
Auto Configuration：設置為允許時，BIOS按照最佳狀態設置。BIOS可以自動設置內存定時，因此會禁止一些對內存設置的修改，建議選擇允許方式。
Memory Test Tick Sound：是否發出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關閉它們。
Memory Parity Error Check：設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代，已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。
Cache Memory Controller：是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。
Shadow RAM Option：設置系統BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規內存中。可以加快速度，但也可能造成死機。
Internal Cache Memory：是否使用CPU內部緩存(一級緩存)?？梢蕴岣呦到y性能。
External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)?？梢蕴岣呦到y性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。
Concurrent Refresh：直譯是同時發生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同時刷新，可以提高系統性能。
DRAM Read Wait State：設置CPU從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。
DRAM Write Wait State：設置CPU向內存寫數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。
Slow Refresh：對質量好的內存，保持數據的時間比較長，可以設置更長的時間周期，從而提高系統性能。
Shadow Cachecable：把映射到常規內存的BIOS ROM增加高速緩存，使性能更進一步。
Page Mode：使內存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。
RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內存RAS周期，因此采用計數器來監視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動復位為0。
Memory Relocation：內存重新定位。即將384的上位內存(Upper Memory Block)數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。
Memory Hole：有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。
DRMA Timing Setting：快頁內存或EDO內存速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內存無效。
Fast MA to RAS Delay：設置內存地址(Memory Address)到內存行地址觸發信號(RAS)之間的延遲時間。
DRAM Write Brust Timing：CPU把數據寫如高速緩存后，再寫如內存的延遲時間。
Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發信號到列地址觸發信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。
DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內存前的時間。
DRAM Speculative Read：設置成允許時，讀內存的時間比正常時間提前一個時間周期，可以提高系統性能。
DRAM Data Integrity Mode：選擇內存校驗方式是Parity或ECC。
Refresh RAS Assertion：設置內存的行地址刷新時間周期，對質量好的內存可以延遲刷新，從而提高系統性能。
RAS Recharge Period：內存行地址信號預先充電所需要的時間。
Fast EDO Path Select：設置選擇對EDO內存讀/寫的快速途徑，可以提高系統性能。
SDRAM RAS Latency：設置SDRAM內存的行地址觸發到列地址觸發的時間延遲。
SDRAM RAS Timing：設置系統對SDRAM內存的行地址觸發時間，也即刷新時間。
Peer Concurrency：為提高系統并行，使CPU對高速緩存或內存或PCI設備，或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。系統智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。
