DDR4內存與DDR3內存有以下5方面不同：

一、頻率和電壓

在頻率方面，DDR4內存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內存有相當大的提升。
在電壓方面，DDR3 內存的工作電壓為1.5V，而DDR4內存的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2V。

二、傳輸機制

相對于DDR3，DDR4的一大改進就體現在信號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術 )技術。

三、訪問機制

對于DDR3內存來說，目前數據讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內存中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是DDR4整個存儲系統的關鍵性設計。
點對點相當于一條主管道只對應一個水箱（這種機制的改變其實并不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小并沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化內存模塊的設計、更容易達到更高的頻率。

四、封裝技術

DDR4內存采用3DS封裝技術，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術是DDR4內存中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆芯片的容量。
在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。

五、外觀

DDR3內存金手指是240個，內存金手指是平直的；而DDR4內存金手指是284個，內存金手指呈彎曲狀。