儲(chǔ)單元分為兩類：SLC(Single Level Cell 單層單元)和MLC(Multi-Level Cell多層單元)。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫次數(shù)高達(dá)100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗(yàn)和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)偅_(dá)到100萬小時(shí)故障間隔時(shí)間(MTBF)。

　　對(duì)MLC和SLC兩大架構(gòu)現(xiàn)在網(wǎng)上存在一個(gè)普遍的認(rèn)識(shí)誤區(qū)，那就是大家都認(rèn)為MLC架構(gòu)的NAND閃存是劣品，只有SLC架構(gòu)的NAND閃存才能在質(zhì) 量上有保障。殊不知采用MLC架構(gòu)的NAND閃存產(chǎn)品在2003年就已經(jīng)投入市場(chǎng)使用，至今也沒有見哪位用戶說自己曾經(jīng)購買的大容量CF、SD卡有質(zhì)量問 題?？赡苣銜?huì)說這是暫時(shí)的，日后肯定出問題，那么我們就先來回憶一下MLC的發(fā)展歷程以及SLC目前的發(fā)展?fàn)顩r再來給這個(gè)假設(shè)做定論吧。

　　SLC技術(shù)，存取原理上SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)充電值，即每Cell只能存取1bit數(shù)據(jù)，有點(diǎn)兒類似于開關(guān)電路，雖然簡單但卻 非常穩(wěn)定。如同電腦的CPU部件一樣，要想在一定體積里容納更多的晶體管數(shù)，就必須提高生產(chǎn)工藝水平，減小單晶體管體積。目前SLC技術(shù)受限于低硅效率問 題，要想大幅度提高制程技術(shù)就必須采用更先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)，這就意味著廠商必須更換現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備，投入大不說而且還是個(gè)無底洞。而MLC架構(gòu)可以一次 儲(chǔ)存4個(gè)以上的充電值，因此擁有比較好的存儲(chǔ)密度，再加上可利用現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備來提高產(chǎn)品容量，廠商即享有生產(chǎn)成本上的優(yōu)勢(shì)同時(shí)產(chǎn)品良率又得到了保證，自 然比SLC架構(gòu)更受歡迎。